[뉴스문 = 서유원 기자]
삼성전자가 차세대 반도체 기술 혁신을 이어가며 고성능 D램 개발에 성공했다.
지난 17일, 삼성전자는 업계 최초로 12나노급(5세대 10나노급) 공정을 적용한 '24Gb GDDR7 D램' 개발을 완료했다고 발표했다.
이번 신제품은 그래픽 성능이 중요한 PC와 게임 콘솔뿐 아니라, AI 워크스테이션과 데이터센터 등 고성능 제품이 요구되는 다양한 분야에서 활용될 것으로 기대된다.
삼성전자가 개발한 '24Gb GDDR7 D램'은 이전 모델인 '16Gb GDDR7 D램'에 비해 성능과 용량, 전력 효율 측면에서 크게 개선됐다. 특히, 24Gb의 고용량을 제공하며 최대 42.5Gbps까지 성능을 발휘할 수 있다.
이는 새로운 PAM3(펄스 진폭 변조) 신호 방식을 통해 가능한 것으로, 이전 방식보다 데이터를 동시에 처리할 수 있는 것이 특징이다.
또한, 이번 D램 제품에 12나노급 미세 공정을 적용하여 동일한 패키지 크기에서 셀 집적도를 높이고, 전작 대비 50% 향상된 용량을 구현했다.
전력 효율성 또한 30% 이상 개선되었으며, 이를 위해 모바일 기기에서 사용하는 저전력 기술을 적용했다.
'Clock 컨트롤 제어 기술'과 '전력 이원화 설계'를 통해 불필요한 전력 소모를 줄였고, '파워 게이팅 설계 기법'을 적용해 고속 동작 시에도 누설 전류를 최소화하면서 동작 안정성을 향상시켰다.
배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 "삼성전자는 작년 7월 '16Gb GDDR7 D램'에 이어 이번에도 업계 최초로 고성능 D램 개발에 성공했다"며, "AI 시장의 빠른 성장에 맞춰 고용량, 고성능 제품을 지속적으로 선보이며 시장을 선도해 나가겠다"고 밝혔다.